填空題干法刻蝕適用于（） （粗/細）線條。
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1.判斷題擴散只用于淺結(jié)的制備
3.單項選擇題離子注入與熱擴散相比，哪個橫向效應(yīng)?。ǎ?/a>
A. 離子注入
B. 熱擴散
4.單項選擇題
二氧化硅膜能有效的對擴散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件有哪些（）
①雜質(zhì)在硅中的擴散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴散系數(shù)
②雜質(zhì)在硅中的擴散系數(shù)小于在二氧化硅中的擴散系數(shù)
③二氧化硅的厚度大于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴散深度
④二氧化硅的厚度小于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴散深度
A.②④
B.①③
C.①④
D.②③
5.單項選擇題在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個需要的時間最長？（）
A.干氧
B.濕氧
C.水汽氧化
最新試題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項選擇題
新的平坦化方法有哪幾個？（）
題型：多項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項選擇題
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
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碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
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題型：單項選擇題