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EDI為了得到較高電阻率和較低二氧化硅含量的產(chǎn)品水,濃水流量應(yīng)為給定范圍的下限。
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EDI為了得到較高電阻率和較低二氧化硅含量的產(chǎn)品水,產(chǎn)品水流量應(yīng)該在給定范圍的上限。
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為了防止EDI組件內(nèi)部泄漏不影響純水水質(zhì),濃水出口應(yīng)當(dāng)保持一定的背壓。
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