封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）