A、QCI
B、ARP
C、GBR
D、AMBR
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A、鄰區(qū)優(yōu)于門限值
B、鄰區(qū)優(yōu)于本小區(qū),并超過(guò)偏置值
C、本小區(qū)低于門限值,并鄰區(qū)優(yōu)于門限值
D、本小區(qū)低于門限值
A、參數(shù)調(diào)整
B、基本啟動(dòng)
C、初始無(wú)線參數(shù)配置
D、參數(shù)優(yōu)化
A、RB數(shù)
B、MCS
C、時(shí)隙比配置
D、MIMO方案
A、加擾
B、跳頻傳輸
C、發(fā)射端波束賦形
D、接收端波束賦形(IRC)
E、小區(qū)間干擾協(xié)調(diào)
F、功率控制
A、Comp
B、頻譜聚合
C、下行增強(qiáng)MIMO
D、中繼-relay
最新試題
直放站增益設(shè)置時(shí),為了抵消底噪,上行增益要大于下行增益。
對(duì)于FDD-LTE,每個(gè)子幀最多只有一個(gè)PRACH資源。
SecondaryCell(SCC)∶輔小區(qū),是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立,輔小區(qū)就被配置以提供額外的無(wú)線資源。
LTE無(wú)線基站智能關(guān)斷技術(shù)包含∶()。
LTE系統(tǒng)是以CDMA和MIMO為主要技術(shù)基礎(chǔ)。
VOLTE測(cè)試中,切換成功的判斷原則是∶UE收到源eNodeB給UE發(fā)送攜帶mobilityControlInfo的"RRC連接重配置"消息(RRCConnectionReconfiguration)。
關(guān)于鄰區(qū)切換失敗的可能原因,下列說(shuō)法正確的是()。
VoLTE語(yǔ)音質(zhì)量端到端間接影響因素包括()。
UE在TAlist范圍內(nèi)移動(dòng)時(shí),不允許發(fā)起TAU流程。
VOLTE中用戶在IMS注冊(cè)成功后,需要周期性在IMS重注冊(cè)。