問答題
制造硅半導體器體中，常使硼擴散到硅單晶中，若在1600K溫度下，保持硼在硅單晶表面的濃度恒定（恒定源半無限擴散），要求距表面10-3cm深度處硼的濃度是表面濃度的一半，問需要多長時間（已知D1600℃＝8×10-12cm2/s；當
）？
cm2/s和
cm2/s試計算1000℃的擴散系數(shù)，并對其差別進行解釋
