由硅片生產的半導體產品，又被稱為（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

集成電路電阻可以通過（）產生。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。

MOS器件存在哪些二階效應？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。