單項(xiàng)選擇題當(dāng)逆向偏壓從10V減少到5V時(shí)，二極管接面的空乏區(qū)將（）
A.變小
B.變大
C.不受影響
D.崩潰
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1.單項(xiàng)選擇題三價(jià)雜質(zhì)加到硅形成（）
A.鍺
B.P型半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.空乏區(qū)
2.單項(xiàng)選擇題當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，即會(huì)產(chǎn)生一空乏層，而P型半導(dǎo)體之空乏層內(nèi)應(yīng)有（）
A.電洞
B.電子
C.正離子
D.負(fù)離子
3.單項(xiàng)選擇題二極管并聯(lián)可增加（）
A.最大電流
B.最大逆向電壓
C.交換時(shí)間
D.以上皆正確
4.單項(xiàng)選擇題P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體結(jié)合時(shí)，會(huì)在PN接合面上形成空乏區(qū)，則空乏區(qū)靠N型側(cè)內(nèi)有下列何者？（）
A.電子
B.電洞
C.正離子
D.負(fù)離子
5.單項(xiàng)選擇題有關(guān)稽納二極管的敘述，下列何者為真？（）
A.它是個(gè)定電壓組件
B.它是個(gè)定電流組件
C.它工作在順向區(qū)
D.它具有負(fù)電阻特性
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如何判斷一個(gè)放大電路中的反饋是負(fù)反饋？（）
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