多項(xiàng)選擇題采用二氧化硅薄膜作為柵極氧化層,是利用其具有的()
A.高電阻率;
B.高化學(xué)穩(wěn)定性;
C.低介電常數(shù);
D.高介電強(qiáng)度。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題微電子器件對(duì)加工環(huán)境的空氣潔凈度有著嚴(yán)格的要求。我國潔凈室及潔凈區(qū)空氣中懸浮粒子潔凈度標(biāo)準(zhǔn)GB50073-2001中,100級(jí)的含義是:每立方米空氣中大于等于0.1m的懸浮粒子的最大允許個(gè)數(shù)為()
A.35;
B.100;
C.102;
D.237。
最新試題
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)?()
題型:多項(xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:單項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過程包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
題型:單項(xiàng)選擇題