問答題
如圖所示電路,已知三極管的β=100,rbe=10.3kΩ,VCC=VEE=15V,RC=36kΩ,RE=27Ω,R=2.7kΩ,RW=100Ω,RW的滑動(dòng)端處于中點(diǎn),RL=18Ω,試估算: (1)靜態(tài)工作點(diǎn); (2)差模電壓放大倍數(shù); (3)差模輸入電阻。
圖所示電路是一個(gè)單端輸出的差分放大電路。試指出“1”、“2”兩端中哪個(gè)是同相輸入端,哪個(gè)是反相輸入端,并求出該電路的共模抑制比。設(shè)V=12V,VEE=-6V,RB=10kΩ,RC=6.2kΩ,RE=5.1kΩ,β1=β2=β=50,r′bb1=r′bb2=300Ω,UBE1=UBE2=0.7V。
單項(xiàng)選擇題
A.電源電壓不穩(wěn)定 B.晶體管參數(shù)隨溫度變化
填空題
電路參數(shù)如圖所示。設(shè)FET的參數(shù)為gm=0.8mS,rd=200Ω,3AG29(VT2)的β=40,rbe=1kΩ。試求放大電路的電壓增益和輸入電阻Ri。
電路如圖所示,已知晶體管的β=100,rbe=1KΩ,靜態(tài)時(shí)|UREO|=0.7V,其余參數(shù)如圖中所標(biāo)注。在空白處填入表達(dá)式或數(shù)值或給出的選項(xiàng)。 (1)靜態(tài)時(shí),基極電流|IBQ|=()≈()μA;集電極電流|ICQ|=()≈()mA;管電壓|UCEQ|=()≈()V。 (2)電壓放大倍數(shù)=()≈();輸入電阻Ri=()≈()KΩ;輸出電阻Ro=()≈()KΩ。 (3)空載時(shí),若輸入電壓增大到定幅值,則電路首先出現(xiàn)()失真(飽和;截止);帶3KΩ負(fù)載電阻時(shí),若輸入電壓增大到定幅值,則電路首先出現(xiàn)()失真(飽和;截止)
單管放大電路如圖所示,已知BJT的電流放大系數(shù)β=50。 (1)估算Q點(diǎn); (2)畫出簡(jiǎn)化h參數(shù)小信號(hào)等效電路; (3)估算BJT的輸入電阻rbe; (4)如輸出端接入4kΩ的電阻負(fù)載,計(jì)算
穩(wěn)壓管電路如圖所示,已知穩(wěn)定的電壓UZ=6V,允許功耗PZM=180mW。試回答: (1)當(dāng)RL=1kΩ時(shí),U0=?IL=?IZ=? (2)當(dāng)RL=50Ω時(shí),U0=?IL=?IZ=? (3)當(dāng)RL=50Ω時(shí),仍保持穩(wěn)定電路正常工作,須采取什么措施?
測(cè)量某硅BJT各電極對(duì)地的電壓值如下,試判別管子工作在什么區(qū)域。
某場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性如圖所示,試判斷該管屬于()。
A.溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 B.N溝道增強(qiáng)型MOS管 C.N溝道耗盡型MOS管 D.P溝道耗盡型MOS管