刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

常壓的硅外延方法有（）。