最新試題
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
題型:單項選擇題
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括()。
題型:多項選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:單項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
題型:多項選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
題型:多項選擇題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:單項選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
題型:單項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用()。
題型:多項選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
題型:多項選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
題型:多項選擇題