電路如圖所示，晶體管β=100，r_bb=100Ω。
（1）求電路的Q點(diǎn)、A_u、R_i和R_o；
（2）若改用β=200的晶體管，則Q點(diǎn)如何變化？
（3）若電容C_e開(kāi)路，則將引起電路的哪些動(dòng)態(tài)參數(shù)發(fā)生變化？如何變化？

電路如圖所示，T_l與T₂管特性相同，它們的低頻跨導(dǎo)為g_m；T₃與T₄管特性對(duì)稱；T₂與T₄管d-s間的動(dòng)態(tài)電阻分別為r_ds2和r_ds4。試求出電壓放大倍數(shù)Au=Δu₀/（u_I1-u_I2）的表達(dá)式。

在圖所示電路中，設(shè)靜態(tài)時(shí)I_CQ=2mA，晶體管飽和管壓降U_CES=0.6V。試問(wèn)：當(dāng)負(fù)載電阻R_L=∞和R_L=3kΩ時(shí)，電路的最大不失真輸出電壓各為多少伏？

已知圖所示電路中，晶體管β=100，r_be=1.4kΩ。
（1）現(xiàn)已測(cè)得靜態(tài)管壓降U_CEQ=6V，估算R_b；
（2）若測(cè)得U_i和U_o的有效值分別為1mV和100mV，則負(fù)載電阻R_L為多少？

電路如圖所示，T_l管的低頻跨導(dǎo)為g_m，T_l和T₂管d-s間的動(dòng)態(tài)電阻分別為r_ds1和r_ds2。試求解電壓放大倍數(shù)Au=Δu_O/Δu_I的表達(dá)式。