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氧化層厚度的測量方法主要有:()。
答案:
比色法、橢圓偏振儀測試法、臺階測試、相干光波長差測量、擴展電阻測試、掃描電鏡測量
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填空題
氧化時()稱為分凝效應。B在氧化硅中的含量高于Si襯底中的含量,分凝系數(shù)()1;P、As在氧化硅中的含量低于Si襯底中含量,分凝系數(shù)()1。
答案:
硅中的雜質(zhì)濃度與SiO
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中濃度出現(xiàn)差別的現(xiàn)象;小于;大于
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填空題
Si襯底上熱氧化的機理由()模型確定。氧化反應的快慢與三個因素有關,即:()。氧化層厚度的理論計算公式為:
式中A、B為與擴散率成正比的常數(shù),τ為由()決定的時間修正系數(shù)。
答案:
迪爾-格羅夫;溫度、氧化劑濃度和表面電勢;初始厚度
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