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當半導體的表面勢略大于其費米勢時,開始進入強反型狀態(tài)。
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一般的MOS管的輸出特性曲線可以分為三個區(qū),即可調電阻區(qū)、飽和工作區(qū)和擊穿工作區(qū)。
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所謂MOS管的正向偏置是指門極、源極和漏極都處于正電位,而襯底位于零電位。
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