A. 增加磁場B; B.減少磁場B; C.增加θ角; D.減少速率v。
A.內(nèi)外部磁感應(yīng)強(qiáng)度B都與r成正比; B.內(nèi)部磁感應(yīng)強(qiáng)度B與r成正比,外部磁感應(yīng)強(qiáng)度B與r成反比; C.內(nèi)外部磁感應(yīng)強(qiáng)度B都與r成反比; D.內(nèi)部磁感應(yīng)強(qiáng)度B與r成反比,外部磁感應(yīng)強(qiáng)度B與r成正比。
如圖所示,實(shí)線是一個(gè)電場中的電場線,虛線是一個(gè)負(fù)檢驗(yàn)電荷在這個(gè)電場中的軌跡,若電荷是從a處運(yùn)動(dòng)到b處,以下判斷正確的是()
A.電荷從a到b加速度減小 B.b處電勢能大 C.b處電勢高 D.電荷在b處速度小