一方解石晶體置于兩平行的且偏振化方向相同的偏振片之間,晶體的主截面與偏振片的偏振化方向成30º,入射光在晶體的主截面內(nèi),求以下兩種情況下的o光和e光強度之比. (1)從晶體出射時; (2)從檢偏器出射時.
半徑為R的均勻電介質(zhì)球,電容率為ε,均勻帶電,總電量為q。已知電荷體密度為