單項(xiàng)選擇題移碼和補(bǔ)碼比較,只有()不同,其他都相同。

A.正號(hào)
B.負(fù)號(hào)
C.符號(hào)
D.標(biāo)志


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1.單項(xiàng)選擇題在浮點(diǎn)數(shù)編碼表示中,()在機(jī)器數(shù)中不出現(xiàn),是隱含的。

A.尾數(shù)
B.符號(hào)
C.基數(shù)
D.階碼

2.單項(xiàng)選擇題N+1位二進(jìn)制正整數(shù)的取值范圍是()

A.0~2n-1
B.1~2n-1
C.0~2n+1-1
D.1-2n+1-1

3.單項(xiàng)選擇題8位反碼表示數(shù)的最小值為(),最大值()

A.-127;+127
B.-128;+128
C.-256;+256
D.-255;+255

4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)-1時(shí),[x]=()

A.x
B.1-x
C.4+x
D.(2-2n)-1*1

最新試題

()是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù),是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時(shí)沒(méi)有外加電源供電,使得RAM成為了()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲(chǔ)器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪問(wèn)、低功耗和大容量?()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

寫(xiě)出X=10111101的補(bǔ)碼表示,正確結(jié)果為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

已知X=10111001,Y=-00101011,求[X +Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對(duì)C1、C2電容充電,此過(guò)程被稱(chēng)為“刷新(refresh)”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,寫(xiě)出[X]反,正確結(jié)果為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

計(jì)算機(jī)采用總線結(jié)構(gòu)的好處是()。

題型:多項(xiàng)選擇題

將十六進(jìn)制數(shù)(1A5)16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題