單項(xiàng)選擇題霍爾效應(yīng)中，霍爾電勢(shì)與（）

A.激磁電流成反比
B.工作電流成反比
C.磁感應(yīng)強(qiáng)度成正比
D.試樣厚度成正比


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2.單項(xiàng)選擇題當(dāng)PN結(jié)及附近被光照時(shí)，若光子能量大于材料禁帶寬度將會(huì)產(chǎn)生電子空穴對(duì)，在內(nèi)電場(chǎng)作用下，電子、空穴分別漂移到（）和（），使P端電勢(shì)（）N端電勢(shì)（），以下正確的是（）

A.P區(qū)；N區(qū)；升高；降低
B.N區(qū)；P區(qū)；升高；降低
C.N區(qū)；P區(qū)；降低；升高
D.P區(qū)；N區(qū)；降低；升高

3.單項(xiàng)選擇題硅光電池實(shí)驗(yàn)中用發(fā)光二級(jí)管做光源照射光電池表面，發(fā)光二級(jí)管輸出功率（）

A.與驅(qū)動(dòng)電流有關(guān)
B.與驅(qū)動(dòng)電流無(wú)關(guān)

5.單項(xiàng)選擇題給PN結(jié)加反向電壓（反偏）時(shí)，耗盡層將（）

A.變窄
B.變寬
C.不變