多項(xiàng)選擇題光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

A.上下偏移
B.X或Y方向的平移
C.轉(zhuǎn)動
D.套準(zhǔn)誤差


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

A.決定特征尺寸的關(guān)鍵工藝
B.光刻與芯片的價(jià)格和性能密切相關(guān)
C.光刻工藝過程復(fù)雜
D.復(fù)印圖像和化學(xué)作用相結(jié)合的綜合性技術(shù)

2.單項(xiàng)選擇題光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

A.掩膜版
B.對準(zhǔn)和曝光
C.光刻機(jī)
D.光刻膠

3.單項(xiàng)選擇題進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

A.堿溶液清洗
B.有機(jī)溶液清洗
C.HF結(jié)尾的清洗工藝
D.去離子水沖洗

4.多項(xiàng)選擇題刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

A.光刻膠
B.Si襯底
C.刻蝕氣體中的碳和其它物質(zhì)組成的化合物
D.刻蝕溶液

5.多項(xiàng)選擇題摻雜后，退火的目的是（）。

A.實(shí)現(xiàn)電激活
B.修復(fù)損傷
C.提高摻雜均勻性
D.加大損傷