溫度升高，導(dǎo)致自由電子與金屬晶格中的正離子碰撞加劇，使電導(dǎo)率值變小。

當(dāng)冷變形度超過(guò)10%時(shí)，電阻稍有增加，通常純金屬由冷變形引起的電阻的增加約為2～6%。

經(jīng)歸一化處理后的阻抗圖曲線以一系列影響阻抗的因素（如電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率等）作參量。

純金屬具有規(guī)則的晶格，因此電阻率很小，若雜質(zhì)含量極少，則不會(huì)導(dǎo)致金屬晶格的畸變，造成電子散射，不影響電阻率。

鐵磁性圓柱試件和非鐵磁性圓柱試件半徑的變化在復(fù)阻抗平面上的效應(yīng)方向是一致的。

阻抗Z 的實(shí)部R 稱為電阻，Z 的虛部X 稱為感抗。

電阻值愈小的材料，導(dǎo)電性能就愈好。

金屬氧化物雖由金屬經(jīng)氧化而得，都能保持原來(lái)的導(dǎo)電性。

多相合金的居里點(diǎn)和相的成分有關(guān)，合金中有幾個(gè)鐵磁相，相應(yīng)的就有幾個(gè)居里點(diǎn)。

阻抗歸一化方法消除了原邊線圈阻抗以及激勵(lì)頻率對(duì)曲線位置的影響。