填空題雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
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絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型:判斷題
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型:判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關。
題型:判斷題
實際的MOS管,絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題
半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題