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【簡答題】簡述源材料擴散穿過邊界表面時的兩種表面吸附
答案:
化學吸附:襯底表面的原子與吸附的源材料的分子內(nèi)的原子形成化學鍵;
物理吸附:吸附在源材料的表面
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【簡答題】簡述CVD工藝的的工藝流程
答案:
(1)氣體或氣相源材料進入反應器
(2)源材料擴散穿過邊界層并接觸襯底
(3)源材料吸附在襯底表面<...
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【簡答題】熱生長氧化物和CVD氧化物的本質(zhì)區(qū)別是什么?
答案:
生長的薄膜與消耗的硅襯底,淀積的薄膜不消耗硅襯底。熱生長的二氧化硅來自氣相氧,硅來自襯底,當薄膜生長進入襯底時,這個過程...
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