問(wèn)答題

【計(jì)算題】
在如圖所示電路中，已知V_CC＝16V，R_L＝4Ω，T₁和T₂管的飽和管壓降│U_CES│＝2V，輸入電壓
足夠大。試問(wèn)：
（1）最大不失真輸出功率P_om和實(shí)際效率η各為多少？
（2）每個(gè)晶體管的最大功耗P_Tm1、P_Tm2為多少？

答案：

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問(wèn)答題

【計(jì)算題】增強(qiáng)型FET能否用自偏壓的方法來(lái)設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)？試說(shuō)明理由。

答案：由于增強(qiáng)型MOS管在v_GS＝0時(shí)，v_D＝0（無(wú)導(dǎo)電溝道），必須在|v

問(wèn)答題

【計(jì)算題】
電路如圖所示（射極偏置電路），設(shè)在它的輸人端接一內(nèi)阻R_s＝5KΩ的信號(hào)源．電路參數(shù)為：R_b1＝33KΩ，R_b2＝22KΩ。R_e＝3．9KΩ，R_c＝4．7KΩ，R_L＝5．1KΩ，C_e＝50μF（與R_e并聯(lián)的電容器）．V_cc＝5V．I_E≈0.33mA，β₀＝120，r_ce＝300KΩ，r_bb′=50Ω，f_T=700MHZ及C_b′c=1pF。求
（1）輸入電阻R_i；
（2）中頻區(qū)電壓增益|A_VM|；
（3）上限頻率f_H。

答案：