當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。