問答題
識別如圖所示工藝，寫出每個步驟名稱并進(jìn)行描述。
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3.多項選擇題對于CMOS晶體管，要得到良好受控的閾值電壓，需要控制（）等工藝參數(shù)。
A.氧化層厚度；
B.溝道中摻雜濃度；
C.金屬半導(dǎo)體功函數(shù)；
D.氧化層電荷。
4.單項選擇題離子注入過程是一個非平衡過程，高能離子進(jìn)入靶后不斷與原子核及其核外電子碰撞，逐步損失能量，最后停下來。停下來的位置是隨機(jī)的，大部分不在晶格上，因而沒有（）。
A. 電活性
B. 晶格損傷
C. 橫向效應(yīng)
D. 溝道效應(yīng)
5.單項選擇題雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)制主要有兩種，分別是間隙式擴(kuò)散機(jī)制和替代式擴(kuò)散機(jī)制。雜質(zhì)只有在成為硅晶格結(jié)構(gòu)的一部分，即（），才有助于形成半導(dǎo)體硅。
A. 激活雜質(zhì)后
B. 一種物質(zhì)在另一種物質(zhì)中的運(yùn)動
C. 預(yù)淀積
D. 高溫多步退火
最新試題
摻雜后退火時間一般在（）。
題型：單項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題