填空題氧化鋁陶瓷以Al2O3為主要成分,含有少量SiO2的陶瓷。根據(jù)Al2O3含量不同分為75瓷、95瓷和99瓷。根據(jù)主晶相不同,分為剛玉瓷、莫來石-剛玉瓷、和()。
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表面區(qū)原子(或離子)間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù),而晶胞結(jié)構(gòu)變化,這種情況稱為馳豫。
題型:判斷題
MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。
題型:判斷題
利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關(guān),元件的溫度又與氣體的熱傳導(dǎo)有關(guān),熱傳導(dǎo)量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計(jì)。
題型:判斷題
吸附質(zhì)從流體主體通過分子與對流擴(kuò)散穿過薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面,稱之為外擴(kuò)散過程。
題型:判斷題
溫度的高低不必用數(shù)字來說明,溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。
題型:判斷題
Ni-Cr 和Fe-Cr-Al 合金電熱體的工作溫度是1000℃至1300℃。
題型:判斷題
簡述雜質(zhì)對擴(kuò)散的影響。
題型:問答題
低壓下從石墨轉(zhuǎn)變成金剛石是一個典型的反自發(fā)方向進(jìn)行的反應(yīng),它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應(yīng)的推動來實(shí)現(xiàn)。
題型:判斷題
活性炭對物質(zhì)的吸附是對極性基團(tuán)少的化合物的吸附力大于極性基團(tuán)多的化合物。
題型:判斷題
在CVD 技術(shù)中反應(yīng)劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì),且有很高的純度。
題型:判斷題