濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

消除鳥嘴效應的方法有（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。