水浸聚焦探頭是由外殼、阻尼塊、晶片、聲透鏡等組成。

根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知，在反射體直徑相同的情況下，圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。

檢測(cè)曲面工件時(shí)，探頭與工件接觸有兩種情況，一是平面與曲面接觸，另一種是將探頭斜楔磨成曲面，探頭與工件曲面接觸。

缺陷垂直時(shí)，擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高，而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線上，從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。

電磁超聲探頭在工件的表層內(nèi)產(chǎn)生的渦流，在外加磁場(chǎng)的作用下，在工件中形成超聲波波源。

經(jīng)變形橫波轉(zhuǎn)換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波，滯后時(shí)間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。

發(fā)射電壓幅度也就是發(fā)射脈沖幅度，它的高低主要影響發(fā)射的超聲波能量。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí)，不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷，其回波高相差不大。

對(duì)于橫波斜探頭而言，不同K值的探頭的靈敏度不同，因此探頭K值偏差也會(huì)影響缺陷的定量。