最新試題

CVD 工藝希望反應氣體以湍流的形式流動。

題型:判斷題

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設備稱為真空獲得設備或真空泵。

題型:判斷題

表面區(qū)原子(或離子)間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù),而晶胞結(jié)構(gòu)變化,這種情況稱為馳豫。

題型:判斷題

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的,不僅用來增密炭基材料,還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

題型:判斷題

反應氣體或生成物通過邊界層,是以擴散的方式來進行的,而使氣體分子進行擴散的驅(qū)動力,則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

題型:判斷題

界面張力的大小反映界面熱力學的穩(wěn)定性。

題型:判斷題

化學氣相沉積乃是通過化學反應的方式,利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源,在反應器內(nèi)使氣態(tài)的化學物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學反應形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。

題型:判斷題

在CVD 技術(shù)中反應劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì),且有很高的純度。

題型:判斷題

活性炭對物質(zhì)的吸附是對極性基團少的化合物的吸附力大于極性基團多的化合物。

題型:判斷題

渦流擴散是在有濃度差異條件下,物質(zhì)通過渦流流體的傳遞過程。

題型:判斷題