單項(xiàng)選擇題在離子注入摻雜時(shí)，有少部分雜質(zhì)進(jìn)入襯底后穿過(guò)較大距離，這種現(xiàn)象就是（）。當(dāng)偏離晶向（）ψc注入時(shí)，可以避免。
A.橫向效應(yīng)，>
B.橫向效應(yīng)，<
C.溝道效應(yīng)，<
D.溝道效應(yīng)，>
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1.多項(xiàng)選擇題?關(guān)于氧化速率下面哪種描述是正確的？（）
A.有雜質(zhì)（如Na、P等）存在，氧化速率降低
B.生長(zhǎng)十幾nm厚的柵氧化層時(shí)，服從線性氧化速率
C.溫度升高氧化速率迅速增加
D.（111）硅比（100）硅氧化得快
2.單項(xiàng)選擇題在硅片晶向、摻雜類型介紹中，由硅片斷裂邊形成的角度是60o可知硅片是什么晶向？（）
A.（100）
B.（111）
C.（110）
D.（211）
最新試題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型：判斷題