問(wèn)答題簡(jiǎn)述雜質(zhì)對(duì)擴(kuò)散的影響。
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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述熱電偶真空規(guī)測(cè)量原理。
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。
3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述真空蒸鍍的原理。
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述特殊活性原料的獲得方法及效果。
最新試題
表面區(qū)原子(或離子)間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù),而晶胞結(jié)構(gòu)變化,這種情況稱(chēng)為馳豫。
題型:判斷題
簡(jiǎn)述雜質(zhì)對(duì)擴(kuò)散的影響。
題型:?jiǎn)柎痤}
界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。
題型:判斷題
在CVD 技術(shù)中反應(yīng)劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì),且有很高的純度。
題型:判斷題
高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。
題型:判斷題
簡(jiǎn)述熱電偶真空規(guī)測(cè)量原理。
題型:?jiǎn)柎痤}
簡(jiǎn)述特殊活性原料的獲得方法及效果。
題型:?jiǎn)柎痤}
強(qiáng)制對(duì)流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導(dǎo)致的。
題型:判斷題
紅外輻射溫度計(jì)測(cè)量范圍是600至1600℃,基本誤差≤±10℃。
題型:判斷題
簡(jiǎn)述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。
題型:?jiǎn)柎痤}