多項(xiàng)選擇題

使用Mem Processing軟件處理B-LWD井下存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)時(shí)，發(fā)現(xiàn)R1接收極壞，其它正常，下列設(shè)置錯(cuò)誤的是（）

A.必須選擇 Resistivity Individuals
B.不必選擇 Resistivity Individuals
C.Broken Receivers for 400Khz 選擇 R1
D.Broken Receivers for 2Mhz 選擇 R1

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多項(xiàng)選擇題

使用Mem Processing軟件處理B-LWD井下存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)時(shí)，發(fā)現(xiàn)T3發(fā)射極壞，其它正常，下列處理正確的是（）

A.Broken Resistivity for 400khz 選擇 T3
B.Broken Resistivity for 2Mhz 選擇 T3
C.Broken Transmitters for 400khz 選擇 T3
D.Broken Transmitters for 2Mhz 選擇 T3

多項(xiàng)選擇題

在B-LWD實(shí)時(shí)處理程序（Rt Proc）中，說(shuō)法正確的是（）

A.坐卡（InSlip）用紅色表示
B.鉆進(jìn)（Drilling）用黑色表示
C.劃眼（Reaming）用紅色表示
D.接單根或立柱（Connection）用藍(lán)色表示