問答題討論CZ法中影響單晶徑向電阻率均勻性的因素及其控制辦法。
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P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型:判斷題
()是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型:填空題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。
題型:判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。
題型:判斷題