實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。