光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。