對(duì)于橫波斜探頭而言，不同K值的探頭的靈敏度不同，因此探頭K值偏差也會(huì)影響缺陷的定量。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

衍射時(shí)差法對(duì)缺陷的定量依賴于缺陷的回波幅度。

根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知，在反射體直徑相同的情況下，圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。

高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼，電纜為無機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。

在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí)，應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù)，計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。

當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時(shí)，而又沒有進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償，會(huì)使定量誤差增加，精度下降。

發(fā)射電壓幅度也就是發(fā)射脈沖幅度，它的高低主要影響發(fā)射的超聲波能量。

水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸，且探頭部分或全部門浸入耦合液中。

橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí)，不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷，其回波高相差不大。