問答題

【簡答題】以在Ge半導體摻入As為例，簡述為什么類氫雜質能級的施主能級位于導帶附近？

答案：一個第IV族元素Ge（4 價元素）被一個第V族元素As（5 價元素）所取代的情形， As原子和近鄰的Ge原子形成共價鍵后...

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【簡答題】簡述半導體中淺能級和深能級摻雜對半導體的導電有何影響？

答案：深能級：
1）可以成為有效復合中心，大大降低載流子的壽命；
2）可以成為非輻射復合中心，影響半導體的...

【簡答題】簡述P型和N型半導體載流子的形成。

答案：根據(jù)摻雜元素對導電的不同影響，雜質態(tài)可分為兩種類型。
雜質在帶隙中提供帶有電子的能級，能級略低于導帶底的能量，...