圖（a）、（b）所示為兩個(gè)反饋電路。試指出在這兩個(gè)電路中，分別由哪些元器件組成了放大通路？哪些元器件組成了反饋通路？分別是何種反饋？設(shè)放大器是理想的運(yùn)放，試寫(xiě)出電路的電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式。

設(shè)如圖所示電路參數(shù)為：β₀＝60，I_E＝2.4mA，U_BE＝0．6V，r_bb′＝100Ω， r_be′＝660Ω，f_T＝200MHz，C_U＝5PF，R_L＝∞，R_S＝50Ω。
（1）計(jì)算電路的上限頻率f_H，寫(xiě)出高頻區(qū)電壓放大倍數(shù)表達(dá)式；
（2）若將集電極電阻R_C減小至200Ω，試問(wèn)參數(shù)的變化對(duì)高頻特性的影響？
（3）不改變電路連接，也不更換晶體管，試問(wèn)通過(guò)電路參數(shù)調(diào)整能增加帶寬嗎？

某放大電路的電壓放大倍數(shù)的復(fù)數(shù)表達(dá)式為

（1）其下限頻率f_L為多少？
（2）中頻電壓放大倍數(shù)A_um為多少？
 

實(shí)驗(yàn)室測(cè)試一個(gè)單管放大電路的頻率特性，當(dāng)f＝5kHz、10kHz、20kHz、30kHz、40kHz時(shí)，電壓放大倍數(shù)均為100，而當(dāng)f＝500kHz，電壓放大倍數(shù)降為10。試問(wèn)上限頻率f_H為多少？

放大電路如圖所示，要求下限頻率f_L＝10Hz，若假設(shè)r_be＝2.6kΩ，且C₁、C₂、C₃對(duì)下限頻率的貢獻(xiàn)是一樣的，試分別確定C₁、C₂、C₃的值。