理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。