問(wèn)答題什么是直流電阻率法？它的物性前提是什么？
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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述電法勘探的定義及物性前提。
3.問(wèn)答題
繪出下列給定聯(lián)合剖面法ρs異常曲線(xiàn)的地電斷面示意圖。
4.問(wèn)答題
繪出下列給定地電斷面的電測(cè)深曲線(xiàn)示意圖。
5.單項(xiàng)選擇題非均勻介質(zhì)的視電阻率是指（）
A.電場(chǎng)作用范圍內(nèi)地層地點(diǎn)斷面的均方根電阻率；
B.電場(chǎng)作用范圍內(nèi)電阻率的綜合反映，哪一層的電阻率都不是；
C.電場(chǎng)作用范圍內(nèi)地層地電斷面的平均電阻率。
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簡(jiǎn)述瞬變電磁法（TEM）的工作原理。
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敘述充電法的應(yīng)用條件和應(yīng)用范圍？
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電磁感應(yīng)法二次磁場(chǎng)與頻率關(guān)系下面說(shuō)法正確的是（）
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解釋面極化和體極化，并說(shuō)明兩者的異同點(diǎn)。
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下列方法哪些方法是主動(dòng)源的電法勘探方法（）
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用“鏡像法”推導(dǎo)點(diǎn)電源垂直接觸面兩側(cè)的電位公式。
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簡(jiǎn)述激發(fā)極化效應(yīng)定義及影響因素。
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推導(dǎo)全空間均勻電流場(chǎng)中球體外一點(diǎn)的電位表達(dá)式。
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用視電阻率的微分形式分析三極剖面法ρ1A曲線(xiàn)特點(diǎn)，其中ρ1=50Ω.m，ρ2=10Ω.m。
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