吸附平衡關系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

化學合成反應沉積是由兩種或兩種以上的反應原料氣在沉積反應器中相互作用合成得到所需要的無機薄膜或其它材料形式的方法。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結構和性能的新材料。

在CVD 技術中反應劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)，且有很高的純度。

吸附質(zhì)從流體主體通過分子與對流擴散穿過薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴散過程。

高溫反應受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

反應氣體或生成物通過邊界層，是以擴散的方式來進行的，而使氣體分子進行擴散的驅(qū)動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結構變化，這種情況稱為馳豫。

CVD 裝置通常可以由氣源控制部件、沉積反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。