A.壓電晶片的尺寸大，則輻射功率大，可檢測(cè)距離大，指向性好，檢測(cè)效率較高
B.壓電晶片的尺寸大，則近場(chǎng)長(zhǎng)度大，始波占寬較大，近表面分辨率降低，雜波多，信噪比低，遠(yuǎn)場(chǎng)分辨率降低
C.壓電晶片尺寸小，則近場(chǎng)長(zhǎng)度短，始波占寬小，近表面分辨率高，雜波少，信噪比高，遠(yuǎn)場(chǎng)分辨率好
D.壓電晶片尺寸小，則輻射功率小，可檢測(cè)距離小，指向性差，檢測(cè)效率低
E.以上都對(duì)
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A.阻尼塊
B.匹配線圈
C.延遲塊
D.保護(hù)膜
A.入射點(diǎn)或探頭前沿
B.折射角
C.聲軸線偏移或偏斜
D.以上都是
A.光結(jié)表面
B.粗糙表面
C.A和B
D.視具體情況
A.頻率越低
B.頻率越高
C.頻率不變
D.以上都不對(duì)
A.連續(xù)波穿透法
B.脈沖波反射法
C.連續(xù)波共振法
D.剪切波諧振法
最新試題
利用底波計(jì)算法校準(zhǔn)靈敏度時(shí)，下面敘述中（）是錯(cuò)誤的。
缺陷的定量包括缺陷大小和數(shù)量的確定，而缺陷的大小可由缺陷的面積或（）來表征。
調(diào)節(jié)時(shí)基線時(shí)，應(yīng)使（）同時(shí)對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的聲程位置。
底波高度法不用試塊，可以直接利用底波調(diào)節(jié)靈敏度和比較缺陷的相對(duì)大小，操作方便，適用于（）的工件。
用折射角β的斜探頭進(jìn)行檢測(cè)，儀器顯示缺陷的聲程為S，則缺陷的水平距離l為（）。
當(dāng)超聲波到達(dá)工件的臺(tái)階、螺紋等輪廓時(shí)將引起反射，這種波是（）。
靈敏度采用試塊調(diào)節(jié)法，下面說法錯(cuò)誤的是（）。
（）可以檢測(cè)出與探測(cè)面相垂直的面狀缺陷。
移動(dòng)探頭找到缺陷最大回波，沿缺陷方向左右移動(dòng)探頭，缺陷回波高度降低一半時(shí)，探頭中心軸線所對(duì)應(yīng)的位置即為指示長(zhǎng)度的端點(diǎn)，兩端點(diǎn)之間的直線長(zhǎng)度即為缺陷指示長(zhǎng)度。這種測(cè)長(zhǎng)方法稱為（）。
利用底波計(jì)算法進(jìn)行靈敏度校準(zhǔn)時(shí)，適用的工件厚度為（）。