溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動。

吸附質(zhì)從流體主體通過分子與對流擴(kuò)散穿過薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴(kuò)散過程。

強(qiáng)制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導(dǎo)致的。

反應(yīng)氣體或生成物通過邊界層，是以擴(kuò)散的方式來進(jìn)行的，而使氣體分子進(jìn)行擴(kuò)散的驅(qū)動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

高溫反應(yīng)受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動，吸收質(zhì)濃度是不均勻的。

Ni-Cr 和Fe-Cr-Al 合金電熱體的工作溫度是1000℃至1300℃。

在CVD 技術(shù)中反應(yīng)劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)，且有很高的純度。