反應氣體或生成物通過邊界層，是以擴散的方式來進行的，而使氣體分子進行擴散的驅(qū)動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

CVD 工藝希望反應氣體以湍流的形式流動。

雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動，吸收質(zhì)濃度是不均勻的。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。

吸附平衡關系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

在電離真空計中，電子在飛行路途中產(chǎn)生的正離子數(shù)，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據(jù)離子電流的大小指示真空度。

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設備稱為真空獲得設備或真空泵。

吸附質(zhì)從流體主體通過分子與對流擴散穿過薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴散過程。

CVD 技術(shù)中通過沉積反應易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關，元件的溫度又與氣體的熱傳導有關，熱傳導量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計。