在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。