AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

光生伏特效應(yīng)

本征吸收

TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒(méi)有要求。

硅中常見(jiàn)的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

等離子體

非本征光電導(dǎo)

陰極射線致發(fā)光

PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。