單項(xiàng)選擇題P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體結(jié)合時(shí)，在PN接合面上形成空乏區(qū)，在空乏區(qū)靠P型側(cè)有（）
A.電子
B.電洞
C.正離子
D.負(fù)離子
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1.單項(xiàng)選擇題障壁電壓乃是在PN接面區(qū)域內(nèi)有（）
A.自由電子
B.電洞
C.正、負(fù)離子
D.自由電子與電洞
2.單項(xiàng)選擇題LED所發(fā)出之光為（）
A.單色光
B.多色光
C.單色聚合光
D.以上皆非
3.單項(xiàng)選擇題
蕭特基二極管的符號(hào)為（）
A.（1）
B.（2）
C.（3）
D.（4）
4.單項(xiàng)選擇題在一硅質(zhì)二極管的兩端外加一順向偏壓1V，并測(cè)得順向電流為10mA，則二極管的分布電阻為（）
A.10Ω
B.30Ω
C.70Ω
D.100Ω
5.單項(xiàng)選擇題N型半導(dǎo)體于鍺或硅中加入之雜質(zhì)為（）
A.三價(jià)
B.四價(jià)
C.五價(jià)
D.以上各價(jià)均可能
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555時(shí)基電路的主要功能不包括以下哪項(xiàng)？（）
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