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問答題
【簡答題】VLSI對金屬化的要求是什么？
答案：
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【簡答題】PECVD的機理？PECVD有何優(yōu)勢？
答案：
機理：等離子體由中性原子團(tuán)、游離基、分子、離子、少量高能電子組成。
優(yōu)勢：可以較低溫度下淀積薄膜，常是低溫與低壓結(jié)合
問答題
【簡答題】淀積技術(shù)包括哪兩種？
答案：①根據(jù)壓強分：常壓（AP）和低壓（LP）
②根據(jù)反應(yīng)室壁冷熱分：熱壁和冷壁
...
問答題
【簡答題】為什么要采用摻氯氧化，作用如何？
答案：若在氧化中加Cl器件性能與潔凈度都會改善
作用：
A.減弱二氧化硅移動離子（主要鈉離子）玷污影響
問答題
【簡答題】比較干氧化、濕氧化和水汽氧化的特點。
答案：
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【簡答題】常見的熱氧化生長二氧化硅的方法有哪些？
答案：
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【簡答題】簡述影響氧化速率的因素？
答案：①氧化方式（干氧、濕氧或水汽氧化、等離子增強氧化）氣氛：摻氯氣氛增加氧化速率。
②氣壓：氧化速率與氧化劑分壓成...
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【簡答題】描述熱氧化的基本機理和兩個階段。
答案：
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【簡答題】二氧化硅膜的獲得方法有哪些？
答案：
A.熱氧化工藝
B.化學(xué)氣相淀積工藝
C.濺射工藝
D.陽極氧化工藝
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【簡答題】簡述硅器件中二氧化硅膜的作用？
答案：