A.探測(cè)器各個(gè)單元的尺寸、本底噪聲可能不同
B.探測(cè)器各個(gè)單元的本底噪聲、增益性能可能不同
C.探測(cè)器各個(gè)單元的增益性能、尺寸可能不同
D.探測(cè)器各個(gè)單元的尺寸、壞像素情況可能不同
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.只能通過(guò)掃描方式完成檢測(cè)圖像采集
B.這種系統(tǒng)必須有機(jī)械裝置
C.機(jī)械裝置的運(yùn)動(dòng)構(gòu)成了各方向的采樣間隔
D.只能以動(dòng)態(tài)檢測(cè)方式獲取檢測(cè)圖像。
A.非晶硅面陣探測(cè)器
B.氣體面陣探測(cè)器
C.CMOS面陣探測(cè)器
D.非晶硒面陣探測(cè)器
A.射線源的能量與焦點(diǎn)尺寸
B.探測(cè)器系統(tǒng)尺寸與重量
C.圖像顯示與存儲(chǔ)處理單元的硬件特性
D.圖像顯示與存儲(chǔ)處理單元的軟件特性
A.射線源
B.探測(cè)器系統(tǒng)
C.機(jī)械驅(qū)動(dòng)裝置系統(tǒng)
D.圖像顯示與存儲(chǔ)處理單元
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最新試題
在同樣的X射線管電流下,管電壓增加,則()
射線照相法適宜檢測(cè)的材料是()
渦流檢測(cè)不適合于檢測(cè)()
為了提高橫向缺陷檢出率,射線照相應(yīng)該采取下列中的哪個(gè)措施()
下列與底片上缺陷觀察有關(guān)的因素是()
下列關(guān)于X射線機(jī)的使用的描述不正確的是()
A型脈沖超聲波檢測(cè)存在的主要問(wèn)題是()
在試件外緣由射線散射引起射線照相圖像質(zhì)量變差的現(xiàn)象叫()
以下不適合用超聲波檢測(cè)的缺陷是()
X射線照相時(shí),設(shè)焦距為650mm,陽(yáng)極靶與管軸線傾角為20°,則其輻射場(chǎng)直徑為()