問(wèn)答題描述熱氧化的基本機(jī)理和兩個(gè)階段。
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最新試題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
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常壓的硅外延方法有（）。
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IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
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互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
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光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
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CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題